加速寿命试验的理论依据
半导体器件等电子元器件在使用或储存过程中，总存在着某种比较缓慢的物理化学 变化。当这一物理化学变化过程发展到一定阶段，器件的外观特性和功能就逐步变化，最 终导致特性的退化和功能的完全丧失，即失效。器件的失效大多是由于器件表面状态的 变化和体内、金属化系统等的物理化学变化造成的。例如，由于PN结附近有杂质离子或 其他沾污形成导电沟道,使器件反向漏电流变大、击穿电压下降;由于表面复合速度变大， 使晶体管的电流放大系数降低;由于键合点形成导电性能不好，机械强度脆弱的化合物会 造成器件开路;由于湿气或其他有害气体侵人管壳内产生化学腐蚀，使器件的内引线或互 连铝线断开而失效，等等。这些变化实质上都是物理化学变化过程。它们的变化过程与温度有密切关系。当温度升高以后，这些物理变化过程大大加快，器件的失效过程被加 速，这就是加速寿命试验的理论依据。
加速寿命试验的常用模型有阿列尼乌斯模型、爱伦模型及以电应力为加速变量的加 速模型，下面分别预以介绍。