长期寿命试验
1.长期储存寿命试验
我们把电子产品在规定的环境条件下非工作状态的存放试验称为储存寿命试验。储存 寿命试验周期在1000小时以上者称为长期储存寿命试验。如半导体三极管总技术条件中规 定，每种型号的半导体三极管，每年应取一定数量的管子,存放在一 10X：?40X：,相对湿度 不大于80%的干燥通风且无腐蚀性气体的仓库内。年内每季度,以后每半年测量 一次电参数，并观察表面。储存3?5年后整理书面资料，供提髙产品质量时参考。
长期储存寿命试验的目的是要了解产品在特定环境下储存的可靠性。元器件装配成 整机前，可能要储存数年或更长的时间。在这么长的时间内，这些元器件能不能保持其原 有特性指标?这些元器件参数的变化规律如何?失效机理是什么,等等，这些都需要通过储 存寿命试验来回答。
长期储存寿命试验方法较简单，只需要将样品存放在一定的环境条件下,定期地进行 测试分析就行。但储存试验由于样品处于非工作状态,失效率比较低，通常要抽出比较多 的样品进行长期的试验，周期一般长达35年。
长期储存寿命试验所积累的数据对于预测元器件和整机的储存可靠性很有价值。例 如导弹武器生产以后，一般都存放相当长的时间。通过元器件储存试验获得的数据可帮 助预测导弹的储存寿命。因此,元器件生产单位应该有计划有目的地对所生产的元器件 进行长期储存试验，这不但有利于评价和改进元器件质量，也有助于整机单位合理选用元 器件及做好整机的可靠性预测工作。